इलेक्ट्रॉनिक अर्धचालक के लिए टैंटालम प्लेट

इलेक्ट्रॉनिक अर्धचालक के लिए टैंटालम प्लेट

इलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर्स के लिए टैंटलम प्लेट एक उच्च - प्रदर्शन सामग्री है जो मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर उद्योग के निर्माण और अनुप्रयोग में उपयोग की जाती है। टैंटलम प्लेटों में उत्कृष्ट भौतिक और रासायनिक गुण होते हैं, जिनमें उच्च पिघलने बिंदु, अच्छे विद्युत और थर्मल चालकता, उत्कृष्ट रासायनिक स्थिरता और संक्षारण प्रतिरोध शामिल हैं। ये विशेषताएं इसे इलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर्स के क्षेत्र में एक अपरिहार्य महत्वपूर्ण सामग्री बनाती हैं।

विवरण

 

Shanxi Zhonghengeeng Weichuang Metal Materies Co. तार, पाइप, साथ ही साथ गहरे प्रसंस्कृत उत्पाद जैसे कि जहाज, क्रूसिबल, स्पटरिंग लक्ष्य, कोटिंग लक्ष्य, मशीनीकृत भाग, उच्च - तापमान भट्ठी इन्सुलेशन स्क्रीन, हीटिंग तत्व, भट्ठी निकायों (हीटिंग भट्ठी, एनालिंग फर्नेस), संयोग - प्रतिरोधी उपकरण, आदि।

एक निर्माता, आपूर्तिकर्ता और टैंटलम के निर्यातक के रूप में, हम उच्च - शुद्धता, उच्च - तापमान प्रतिरोधी, संक्षारण - प्रतिरोधी, एयरोस्पेस, रक्षा, सैन्य और समुद्री इंजीनियरिंग विशेष उत्पादों के साथ चिंता मुक्त गुणवत्ता और अधिक अनुकूल कीमतों के साथ प्रदान करते हैं! ग्राहक सेवा हमेशा ऑनलाइन होती है, इसलिए आपको कोई चिंता नहीं है।
 

प्रदर्शन लाभ

 

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उच्च विश्वसनीयता

टैंटलम प्लेटों की स्थिरता और स्थायित्व उन्हें उच्च विश्वसनीयता वाले इलेक्ट्रॉनिक घटकों जैसे टैंटलम कैपेसिटर में उत्कृष्ट बनाती है, जो लंबे समय तक - टर्म स्टेबल ऑपरेशन को सक्षम करती है।

Tantalum plate price

संक्षारण प्रतिरोध

टैंटलम प्लेटें जटिल रासायनिक वातावरण में अच्छा प्रदर्शन करती हैं, विशेष रूप से अर्धचालक विनिर्माण में नक़्क़ाशी, सफाई और अन्य प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त है।

Tantalum plate quotation

उच्च तापमान अनुकूलनशीलता

टैंटलम प्लेटें उच्च तापमान वातावरण का सामना कर सकती हैं और सेमीकंडक्टर विनिर्माण में उच्च - तापमान प्रसार, एनीलिंग और अन्य प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त हैं।

3nm और नीचे की प्रक्रियाओं में, उच्च - शुद्धता टैंटलम प्लेट (5N5 ग्रेड) तांबे के इंटरकनेक्ट डिफ्यूजन बाधाओं के रूप में काम करते हैं, और उनकी नैनोस्केल एकरूपता (मोटाई सहिष्णुता ± 1.5nm) प्रभावी रूप से तांबे के आयनों को सिलिकॉन सब्सट्रेट तक फैलने से रोक सकती है। TSMC की 3NM प्रक्रिया एक TA/TAN डबल - लेयर टैंटालम प्लेट संरचना को अपनाती है, जो चिप रिसाव वर्तमान को 0.1pa/μ m μ तक कम कर देती है और पारंपरिक टाइटेनियम बैरियर परतों की तुलना में 40% तक प्रदर्शन में सुधार करती है। GAAFET आर्किटेक्चर के लोकप्रियकरण के साथ, अर्धचालकों के लिए टैंटलम प्लेटों की वैश्विक मांग 2026 तक 2300 टन तक पहुंचने की उम्मीद है, और 28nm और उससे अधिक प्रक्रियाओं के लिए चीन की स्थानीयकरण दर 50%से अधिक होने की उम्मीद है।

इंटेल फोवरोस 3 डी पैकेजिंग तकनीक में, टैंटलम प्लेट इंटरमीडिएट लेयर (थर्मल विस्तार गुणांक 6.6 × 10 ⁻⁶/ डिग्री) के बीच मिलान त्रुटि और सिलिकॉन के माध्यम से (टीएसवी) के माध्यम से 0.3 μ मीटर से कम है, जो विषम सामग्री के थर्मल तनाव के कारण मिलाप संयुक्त दरार की समस्या को हल करता है। एक घरेलू पैकेजिंग कारखाना 5 जी आरएफ मॉड्यूल के I/O घनत्व को बढ़ाने के लिए टैंटालम आधारित भारी वायरिंग लेयर (RDL) को 1200/मिमी of तक बढ़ाता है। चिपलेट प्रौद्योगिकी को बढ़ावा देने के साथ, उन्नत पैकेजिंग टैंटलम बोर्डों का बाजार आकार 2025 तक 1.2 बिलियन अमेरिकी डॉलर तक पहुंच जाएगा, जिसमें 18%की वार्षिक वृद्धि दर है।

सिलिकॉन कार्बाइड (SIC) MOSFET मॉड्यूल में, टैंटलम सब्सट्रेट (57.5w/m · k की थर्मल चालकता) जंक्शन तापमान को 150 डिग्री से 200 डिग्री तक बढ़ाता है, और मॉड्यूल पावर घनत्व 30kW/L तक पहुंच जाता है। BYD SIC इलेक्ट्रिक ड्राइव सिस्टम टैंटलम कॉपर कम्पोजिट सब्सट्रेट को अपनाता है, और इन्वर्टर दक्षता में 98.5% तक सुधार किया जाता है। नए ऊर्जा वाहनों के लिए 800V प्लेटफॉर्म के लोकप्रियकरण से ऑटोमोटिव ग्रेड टैंटलम प्लेटों की मांग होगी, और इस क्षेत्र में पैठ दर 2030 तक 35% से अधिक होने की उम्मीद है।

Google क्वांटम प्रोसेसर टैंटालम नाइट्राइड सुपरकंडक्टिंग थिन फिल्म (क्रिटिकल टेम्परेचर 4.8K) का उपयोग करता है, जिसमें जाली दोष घनत्व होता है<10 ⁴/cm ², which extends the coherence time of quantum bits to 500 μ s. The tantalum based Josephson junction developed by the Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences has a critical current uniformity of ± 2% at 4.2K Global investment in quantum computing is increasing by 45% annually, and the application of tantalum plates in key components such as dilution refrigeration unit coolers will create a new market worth billions of dollars.

3NM प्रक्रियाओं में कॉपर इंटरकनेक्ट बाधाओं से लेकर क्वांटम कंप्यूटिंग के लिए पतली फिल्मों को सुपरकंडक्ट करने के लिए, अर्धचालक उद्योग को अपूरणीय सामग्री गुणों के साथ फिर से आकार दिया जा रहा है। वैश्विक चिप उत्पादन क्षमता 28nm और उससे अधिक की परिपक्व प्रक्रियाओं की ओर स्थानांतरित होने के साथ, चीन की तकनीकी सफलताओं में उच्च - शुद्धता टैंटलम लक्ष्य सामग्री (38%की स्थानीयकरण दर के साथ) और टैंटालम कॉपर कम्पोजिट सब्सट्रेट उच्च - की बॉटलनेक को प्रभावी रूप से हटा देगा। सेमी की भविष्यवाणी के अनुसार, अर्धचालकों के लिए टैंटलम प्लेटों का वैश्विक बाजार आकार 2025 से 2030 तक 12% की औसत वार्षिक दर से बढ़ेगा, ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स और एआई चिप क्षेत्रों के साथ 45% से अधिक के लिए लेखांकन। भविष्य की ओर देखते हुए, - एज फ़ील्ड जैसे कि दो - आयामी सेमीकंडक्टर हेटेरोजंक्शन इंटीग्रेशन और फोटोनिक चिप्स को काटने में टैंटलम आधारित सामग्रियों का संभावित अनुप्रयोग मूर के कानून की निरंतरता के लिए महत्वपूर्ण समर्थन प्रदान करना जारी रखेगा और अर्धवृत्त उद्योग में "सामग्री नवाचार ड्रिवोलॉजिकल क्रांति" का एक मॉडल बन जाएगा।

 

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