सेमीकंडक्टर क्षेत्र में उपयोग किए जाने वाले टैंटलम ट्यूब

सेमीकंडक्टर क्षेत्र में उपयोग किए जाने वाले टैंटलम ट्यूब

टैंटलम ट्यूब अर्धचालक विनिर्माण प्रक्रिया में उच्च - प्रदर्शन सामग्री के रूप में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। टैंटलम (टीए), अपने उच्च पिघलने बिंदु (लगभग 3000 डिग्री), उत्कृष्ट चालकता, रासायनिक जड़ता और यांत्रिक शक्ति के साथ, अर्धचालक निर्माण में उत्पादन दक्षता और उत्पाद की गुणवत्ता में काफी सुधार हुआ है, जो अर्धचालक प्रौद्योगिकी के विकास को बढ़ावा देता है। इसकी स्थिरता और विश्वसनीयता इसे इस क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण सामग्री बनाती है। उच्च - सटीक अर्धचालक उपकरणों के निर्माण के लिए एक आदर्श विकल्प बनना।

विवरण

 

Shanxi Zhonghengeeng Weichuang Metal Materies Co. तार, पाइप, साथ ही साथ गहरे प्रसंस्कृत उत्पाद जैसे कि जहाज, क्रूसिबल, स्पटरिंग लक्ष्य, कोटिंग लक्ष्य, मशीनीकृत भाग, उच्च - तापमान भट्ठी इन्सुलेशन स्क्रीन, हीटिंग तत्व, भट्ठी निकायों (हीटिंग भट्ठी, एनालिंग फर्नेस), संयोग - प्रतिरोधी उपकरण, आदि।

एक निर्माता, आपूर्तिकर्ता और टैंटलम के निर्यातक के रूप में, हम उच्च - शुद्धता, उच्च - तापमान प्रतिरोधी, संक्षारण - प्रतिरोधी, एयरोस्पेस, रक्षा, सैन्य और समुद्री इंजीनियरिंग विशेष उत्पादों के साथ चिंता मुक्त गुणवत्ता और अधिक अनुकूल कीमतों के साथ प्रदान करते हैं! ग्राहक सेवा हमेशा ऑनलाइन होती है, इसलिए आपको कोई चिंता नहीं है।
 

विशेषताओं और विशेषताएं

 

Tantalum tube price

उच्च पिघलने बिंदु और अच्छी चालकता

टैंटलम में 2996 डिग्री सी तक पिघलने का बिंदु होता है, जिससे यह उच्च तापमान वातावरण में काम करने की अनुमति देता है। टैंटलम में उत्कृष्ट चालकता है और यह अर्धचालक विनिर्माण में विभिन्न उच्च - तापमान प्रवाहकीय अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

Chinese Tantalum Tube

रासायनिक स्थिरता और कम वाष्पीकरण दर

टैंटलम में उच्च तापमान पर उत्कृष्ट रासायनिक स्थिरता होती है और यह अधिकांश गैसों और तरल पदार्थों के साथ आसानी से प्रतिक्रियाशील नहीं होता है, जिससे यह संक्षारक वातावरण के लिए उपयुक्त हो जाता है। टैंटलम में उच्च तापमान पर एक बेहद कम वाष्पीकरण दर है और यह वैक्यूम या कम - दबाव वातावरण में उपयोग के लिए उपयुक्त है।

Tantalum tube quotation

उच्च पवित्रता और यांत्रिक शक्ति

अर्धचालक विनिर्माण के लिए अत्यधिक उच्च सामग्री शुद्धता की आवश्यकता होती है, और टैंटलम ट्यूब आमतौर पर अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करने वाली अशुद्धियों से बचने के लिए अत्यधिक शुद्ध होते हैं। टैंटलम में उच्च यांत्रिक शक्ति है और उच्च तापमान पर यांत्रिक तनाव का सामना कर सकता है।

 

सेमीकंडक्टर चिप निर्माण में, टैंटलम ट्यूब सटीक मशीनिंग के बाद स्पटरिंग लक्ष्यों का मुख्य सब्सट्रेट बन जाता है। 5N5 ग्रेड (शुद्धता 99.9995%) बड़े - डोंगफैंग टैंटलम उद्योग द्वारा निर्मित टैंटलम लक्ष्य रिक्त स्थान को 7NM प्रक्रिया में तांबे के इंटरकनेक्ट बैरियर लेयर के बयान पर लागू किया गया है, जिसमें 20 μ मीटर के भीतर नियंत्रण किया गया था, जो कि μ 3%के फिल्म मोटाई के अंतर्राष्ट्रीय प्रमुख स्तर को प्राप्त करता है। एक विशिष्ट मामले से पता चलता है कि इस प्रकार की लक्ष्य सामग्री का उपयोग करते हुए एक घरेलू 12 इंच वेफर फैब ने चिप उपज को 12%तक बढ़ा दिया, और लक्ष्य सामग्री के सेवा जीवन को पारंपरिक टाइटेनियम लक्ष्यों के 2.3 गुना तक बढ़ाया गया। यह प्रदर्शन लाभ टैंटलम - के अद्वितीय क्रिस्टल संरचना से उपजा है, इसका शरीर केंद्रित क्यूबिक जाली प्रभावी रूप से तांबे परमाणु प्रसार को दबा सकता है और सर्किट शॉर्ट सर्किट से बच सकता है।

फोल्डेबल फोन में उपयोग किए जाने वाले 0.15 मिमी टैंटलम कैपेसिटर को 100000 झुकने वाले परीक्षणों का सामना करने के लिए अपने आंतरिक लीड ट्यूब की आवश्यकता होती है। Baoji Yixintai द्वारा विकसित अल्ट्राफाइन टैंटालम ट्यूब (व्यास 0.8 मिमी, दीवार की मोटाई 0.05 मिमी) को कोल्ड रोलिंग इलेक्ट्रोलाइटिक पॉलिशिंग प्रक्रिया के अधीन किया गया है, जो सतह के खुरदरेपन को ra0.1 μ मीटर तक कम करता है और कैपेसिटर के ईएसआर (समतुल्य श्रृंखला प्रतिरोध) को 5 मीटर से कम करता है। Huawei P70 श्रृंखला के वास्तविक परीक्षण डेटा के अनुसार, यह तकनीक 18% तक फास्ट चार्जिंग दक्षता में सुधार करती है, और क्षमता क्षय दर 85 डिग्री के उच्च तापमान वातावरण में 2% प्रति हजार घंटे से कम है

टैंटलम (4.25 ईवी) का इलेक्ट्रॉनिक कार्य कार्य तांबे (4.0 ईवी) और टाइटेनियम (4.1 ईवी) की तुलना में काफी अधिक है, और पीवीडी प्रक्रिया के दौरान एक सघन पतली फिल्म संरचना का उत्पादन किया जा सकता है। प्रायोगिक आंकड़ों से पता चलता है कि टैंटालम बैरियर लेयर का रिसाव वर्तमान घनत्व टाइटेनियम नाइट्राइड की तुलना में कम परिमाण के 1-2 ऑर्डर है, जो कि 3 डी नंद मेमोरी के इंटरलेयर इन्सुलेशन के लिए महत्वपूर्ण है। सेमीकंडक्टर ग्रेड टैंटालम के लिए वैश्विक वार्षिक मांग लगभग 800 टन है, लेकिन आर्थिक रूप से ओपोलेटलम ओरे 60%को पूरा कर सकते हैं।

3NM से नीचे अर्धचालक प्रक्रिया नोड्स की सफलता के साथ, टैंटालम ट्यूबों का अनुप्रयोग पारंपरिक बैरियर लेयर सामग्री से - को काटने के लिए फैल रहा है जैसे कि तीन - आयामी एकीकृत थर्मल प्रबंधन और क्वांटम डिवाइस सब्सट्रेट जैसे किनारे फ़ील्ड। तकनीकी स्तर पर, नैनोपोरस टैंटलम ट्यूब (पोरसिटी 70% -90%) के विकास ने पायलट चरण में प्रवेश किया है, जिसमें 200-300 मीटर/जी के एक विशिष्ट सतह क्षेत्र के साथ, जो परमाणु परत जमाव (एएलडी) प्रक्रिया के अग्रदूत उपयोग दर में काफी सुधार कर सकता है। बाजार के पूर्वानुमानों से पता चलता है कि अर्धचालकों के लिए टैंटालम ट्यूबों की वैश्विक मांग 2025 से 2030 तक 11.8% की वार्षिक वार्षिक वृद्धि दर पर विस्तार करेगी, जिसमें विषम एकीकृत पैकेजिंग लेखांकन 40% से अधिक है।

यह ध्यान देने योग्य है कि अमेरिकी ऊर्जा विभाग (डीओई) द्वारा जारी नवीनतम प्रमुख खनिज सूची ने टैंटलम को "अत्यंत महत्वपूर्ण सामग्री" के रूप में सूचीबद्ध किया है, और इसका रणनीतिक मूल्य वैश्विक आपूर्ति श्रृंखला परिदृश्य को फिर से आकार दे रहा है। चीन को 2027 तक 70% घरेलू प्रतिस्थापन दर प्राप्त करने की उम्मीद है, जो 6N स्तर की शुद्धि प्रौद्योगिकी में यिचुन टैंटलम अयस्क संसाधनों और सफलताओं के एकीकरण के माध्यम से है।

लोकप्रिय टैग: सेमीकंडक्टर फील्ड में इस्तेमाल होने वाले टैंटालम ट्यूब, सेमीकंडक्टर फील्ड निर्माताओं, आपूर्तिकर्ताओं, फैक्ट्री में इस्तेमाल की जाने वाली चीन टैंटलम ट्यूब

शायद तुम्हे यह भी अच्छा लगे

खरीदारी बैग